高純蒙脫石的表面電性
來源：www.jsbts.cn 發布時間：2022年07月21日
高純蒙脫石的表面電性
高純蒙脫石的表面電性來自于以下三方面：
破鍵電荷：產生于四面體片的基面、八面體片的端面，系Si-O破鍵和Al-O（OH）破鍵的水解作用所致。當pH值小于7時，破鍵吸引H+，表面帶正電；當pH值大于7時，表面帶負電。
八面體片中離子離解形成的電荷：在酸性介質中，OH-離解占優勢，端面電荷為正電；在堿性介質中，Al3+離解占優勢，端面電荷為負電；pH值為9.1左右為等電點。
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高純蒙脫石的表面電性來自于以下三方面：
層電荷：每個晶胞可達0.6，且不受介質pH值的影響。這是蒙脫石表面負電性的主要原因。
破鍵電荷：產生于四面體片的基面、八面體片的端面，系Si-O破鍵和Al-O（OH）破鍵的水解作用所致。當pH值小于7時，破鍵吸引H+，表面帶正電；當pH值大于7時，表面帶負電。
八面體片中離子離解形成的電荷：在酸性介質中，OH-離解占優勢，端面電荷為正電；在堿性介質中，Al3+離解占優勢，端面電荷為負電；pH值為9.1左右為等電點。
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